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J-GLOBAL ID:201702279228523395   整理番号:17A1775309

発光ダイオードによるGaN-on-Siプラットフォームに基づくマイクロ信号無線通信装置【Powered by NICT】

Mirco Signal Wireless-Communication Device Based on GaN-on-Silicon Platform with Light Emitting Diodes
著者 (6件):
資料名:
巻: 2017  号: ICRIS  ページ: 210-213  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,面内超短距離可視光通信(VLC)用の膜発光ダイオードを用いたGaNオンシリコンプラットフォームに基づくフォトニック無線通信素子を実証した。信号エミッタと受信機としてワンチップ上に集積した二つの双方向InGaN/GaN多重量子井戸デバイス,それぞれ発光ダイオード(LED)または光検出器(PD)モードで操作されるを利用した。エレクトロルミネセンス(EL)スペクトルのピーク波長450nmは青色領域に適用可能である。マイクロスケールデバイスとして,30MHz以上の周波数で運転することができ,最適周波数は30MHz,90MHzである。直接変調持つディジタル信号光は,PDにより検出し,低符号間干渉(ISI)を用いた50Mbps速度で優れた送信性能を持っている。特に,集積素子は80MHzの帯域幅で最低ビット誤り率(BER)を持っていた。安定送信周波数と通信速度はスマートフォンなどの小クライアントに適用することができる。さらなる研究のために,優れた性能をもつ改善されたレートは,クライアントは長期間にわたり4g+伝送速度をも4gを維持させるであろう。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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発光素子 
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