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J-GLOBAL ID：201702279236553329   整理番号：17A0993060

制御されたTe蒸気圧下で温度差法により成長させた高濃度不純物をドープしたPbSnTe液相エピタキシャル層の性質【Powered by NICT】

Properties of heavily impurity-doped PbSnTe liquid-phase epitaxial layers grown by the temperature difference method under controlled Te vapor pressure

著者 (5件)： Yasuda Arata (Department of Creative Engineering, National Institute of Technology, Tsuruoka College, Sawada 104, Inooka, Tsuruoka 997-8511, Japan) ,  Yasuda Arata (Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Aramakiaza Aoba, Sendai 980-0845, Japan) ,  Takahashi Yatsuhiro (Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Aramakiaza Aoba, Sendai 980-0845, Japan) ,  Suto Ken (Semiconductor Research Institute of Semiconductor Research Foundation, Aramaki Aza Aoba 519-1176, Sendai 980-0845, Japan) ,  Nishizawa Jun-ichi (Semiconductor Research Institute of Semiconductor Research Foundation, Aramaki Aza Aoba 519-1176, Sendai 980-0845, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 470  ページ： 37-41  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は,中~遠赤外光学デバイス応用のためのIV-VI化合物の調製のための制御された蒸気圧(TDM CVP)液相エピタクシー(LPE)の下での温度差法により成長させた高濃度不純物ドープPb_1- Sn_ PbTeエピタキシャル層の使用を提案した。平坦な表面形態と(0.05≦x≦0.33)一定Sn濃度の分布は電子プローブ微量分析を用いたエピタキシャル層で観察された。TDM CVP LPE(T_g=640°C)により成長させたPb_1- Sn_ Te中のSnの偏析係数はx~S Sn/x~L_Sn=0.28であった。InをドープしたPbSnTeにおけるFermi準位のピン止めと持続性光伝導効果の出現も提案したはこれらの過程の活性化エネルギーは,それぞれ2.8と39.7meV周囲温度の関数としてInをドープしたPb_1- Sn_ xZnxTeキャリアプロファイルに基づいたと推定した。Hall移動度測定では,SnはPb_1- Sn_ xZnxTeエピタキシャル結晶中の主要な散乱中心であると仮定した。不純物効果もPb_1- Sn_ xZnxTeエピタキシャル成長で観察され,TlドープPbTeバルク結晶の観察された効果と類似していた。TDM CVP LPEにより成長させた高濃度ドープPb_1- Sn_ xMnxTe結晶は高性能中期遠赤外光学デバイスを作製するために使用できると結論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 液相成長 ,  *不純物 ,  *テルル ,  *エピタクシー ,  Fermi準位 ,  テルル化鉛 ,  活性化エネルギー ,  *スズ ,  遠赤外線 ,  *蒸気圧 ,  結晶 ,  *ドーピング ,  光学素子 ,  光伝導 ,  インジウム

著者キーワード (5件)： A1ドーピング ,  A1不純物 ,  A3液相エピタクシー ,  B2半導性鉛化合物 ,  B3赤外デバイス

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (10件)： Te ,  蒸気圧 ,  温度差 ,  成長 ,  高濃度 ,  不純物 ,  ドープ ,  液相 ,  エピタキシャル層 ,  性質