文献

J-GLOBAL ID：201702279265738423   整理番号：17A0698579

ハロゲンをドープした単層g C_3N_4光触媒の第一原理研究【Powered by NICT】

First principle investigation of halogen-doped monolayer g-C₃N₄ photocatalyst

著者 (6件)： Zhu Bicheng (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, PR China) ,  Zhang Jinfeng (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, PR China) ,  Jiang Chuanjia (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, PR China) ,  Cheng Bei (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, PR China) ,  Yu Jiaguo (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, PR China) ,  Yu Jiaguo (Department of Physics, Faculty of Science, King Abdulaziz University, Jeddah 21589, Saudi Arabia)
資料名： Applied Catalysis. B: Environmental  (Applied Catalysis. B: Environmental)
巻： 207  ページ： 27-34  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0375A  ISSN： 0926-3373  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 元素ドーピングは電子構造を調整すると黒鉛状窒化炭素(g C_3N_4)の光触媒活性を改善するための効率的な戦略である。CASTEPモジュールで行った密度汎関数理論計算を用いて,バンド構造,ハロゲン(F,Cl,Br,I)をドープした単層g C_3N_4の電子的および光学的性質を調べた。最初に,単分子層g C_3N_4単位格子中の三つのトリ-s-トリアジン単位で囲まれた格子間空間を占有するハロゲン原子は吸着エネルギーの点で最も安定な配置であることを示した。これら格子間ドープした単分子層g C_3N_4システムに基づいて,ハロゲン原子の導入は,種々の状態密度(DOS)と最低非占有分子軌道(LUMO)と最高被占分子軌道(HOMO)の再分布をもたらすことが分かった。F原子は,その極端に高い電気陰性度に起因する価電子帯とH OMOを占有する傾向がある。対照的に,Cl,Br,I原子は伝導帯とLUMOに関与している。要約すると,計算結果は,ハロゲンをドープした単層g C_3N_4システムは,バンドギャップ,増大した光吸収と減少した仕事関数,高い光触媒活性をもたらすを制限したことを示した。本研究で提示された結論は,かなりの光触媒性能を持つハロゲンをドープした単層g C_3N_4の有用性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 塩素 ,  *光触媒 ,  LUMO ,  臭素 ,  *ハロゲン ,  価電子バンド ,  吸着エネルギー ,  HOMO ,  光学的性質 ,  *ドーピング ,  伝導バンド ,  触媒活性 ,  単分子層
準シソーラス用語： 光触媒活性 ,  窒化炭素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： g C_3N_4 ,  ドーピング ,  ハロゲン ,  密度汎関数理論 ,  展望

分類 (1件)： 光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (6件)： ハロゲン ,  ドープ ,  単層 ,  光触媒 ,  第一原理 ,  研究