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J-GLOBAL ID：201702279374643882   整理番号：17A0466290

半導体中の軽い暗黒物質の吸収

Absorption of light dark matter in semiconductors

著者 (3件)： HOCHBERG Yonit ,  LIN Tongyan ,  ZUREK Kathryn M.
資料名： Physical Review. D  (Physical Review. D)
巻： 95  号： 2,Pt.A  ページ： 023013.1-023013.8  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： D0748A  ISSN： 2470-0010  CODEN： PRVDAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体はMeV~GeV質量の暗黒物質の電子散乱によって検出するために使われているが,本論文では,もっと軽い暗黒物質を吸収過程によって検出することも可能であることを示した。暗黒物質質量が半導体のバンドギャップ(eV程度)よりも大きければ電子を伝導バンドに励起することによって吸収が起こる。バンドギャップ以下では多重光子励起により0.01eV~eV質量の暗黒物質の吸収が起こる。eV以下の質量の高エネルギー暗黒物質もプローブできる。ゲルマニウムとケイ素での暗黒光子と擬スカラーの吸収で検出可能な暗黒物質パラメータ領域を調べて,現在よりも拡大できることがわかった。

シソーラス用語： *暗黒物質 ,  *吸収 ,  *半導体 ,  質量 ,  バンドギャップ ,  伝導バンド ,  ゲルマニウム ,  ケイ素 ,  比率 ,  有効ラグランジアン ,  光子 ,  数値計算
準シソーラス用語： パラメータ領域 ,  仮説粒子探索実験 ,  伝導度

分類 (2件)： 仮説粒子とその他の素粒子  (BF04050V) ,  宇宙線・天体物理観測技術  (DB01000N)

タイトルに関連する用語 (1件)： 暗黒物質