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J-GLOBAL ID：201702279381424391   整理番号：17A1164725

ZnOナノロッド/グラフェン酸化物ハイブリッド多層構造における抵抗スイッチング【Powered by NICT】

Resistive Switching in ZnO Nanorods/Graphene Oxide Hybrid Multilayer Structures

著者 (5件)： Anoop Gopinathan (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-Dong, Buk-Gu, Gwangju, 61005, South Korea) ,  Panwar Varij (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-Dong, Buk-Gu, Gwangju, 61005, South Korea) ,  Panwar Varij (Department of Electronics and Communication Engineering, Graphic Era University, Clement Town, Dehradun, Uttarakhand, 248002, India) ,  Kim Tae Yeon (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-Dong, Buk-Gu, Gwangju, 61005, South Korea) ,  Jo Ji Young (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-Dong, Buk-Gu, Gwangju, 61005, South Korea)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 3  号： 5  ページ： ROMBUNNO.201600418  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン-酸化亜鉛ナノロッド(GO ZnONRs)ハイブリッドの多層構造は,抵抗スイッチングランダムアクセスメモリ(RRAM)デバイスの活性材料として使用するために成長させることに成功した。オフ電流のかなりの減少は,活物質としての三反復層までGO ZnONR多層膜のlayer-by-layer成長により達成した。ハイブリッド多層構造の走査電子顕微鏡画像とX線回折パターンは,垂直に配向したZnONRsはGOシートの間にサンドイッチされたことを明らかにした。Raman分析は,GピークはGO赤方偏移における位置,ハイブリッド多層構造の界面でのC=O Zn結合に起因することを示した。ハイブリッド多層構造のX線光電子分光分析は,GO上のZnONRsと二次ZnONRsに対するGOの成長を確認し,C=O Zn結合。本研究はGO上に垂直に配向した二次及び三次ZnONRsの成長を実現し,光ルミネセンス発光波長の同調を伴った。ハイブリッド多層構造に基づく抵抗メモリ素子は3.3×10~5までのオンオフ比を持つ安定な抵抗スイッチング挙動を示し,これは単層ZnONRsベース素子のON-OFF比より三桁高かった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 赤方偏移 ,  *多層構造 ,  X線光電子スペクトル ,  *グラフェン ,  単一層 ,  界面 ,  X線回折 ,  RAM【メモリ】 ,  X線光電子分光法 ,  多層膜 ,  *酸化亜鉛 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  LBL成長 ,  *抵抗スイッチング ,  *酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D-1Dナノ構造 ,  グラフェン酸化物 ,  多層構造 ,  抵抗スイッチング ,  ZnO

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnOナノロッド ,  グラフェン酸化物 ,  多層構造 ,  抵抗スイッチング