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J-GLOBAL ID：201702279544401776   整理番号：17A1712835

Raman分光法で調べた非晶質Ge-As-SeとGe-Sb-Teカルコゲナイド合金の振動特性の組成依存性【Powered by NICT】

Compositional dependencies in the vibrational properties of amorphous Ge-As-Se and Ge-Sb-Te chalcogenide alloys studied by Raman spectroscopy

著者 (7件)： Shportko K. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine) ,  Revutska L. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine) ,  Paiuk O. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine) ,  Baran J. (W. Trzebiatowski Institute of Low Temperatures and Structure Research of PAS, Wroclaw, Poland) ,  Stronski A. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine) ,  Gubanova A. (Kamianets-Podilsky National University, Kamianets-Podilsky, Ukraine) ,  Venger E. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 73  ページ： 489-496  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge含量の系統的増加と非晶質Ge-As-SeとGe-Sb-Teカルコゲン化物のRamanスペクトルの組成依存性に焦点を当てた。研究したGe-As-SeとGe-Sb-Teカルコゲン化物は,フォトニクス,光学的,電子的データ貯蔵への応用に有望である。得られたRamanスペクトルを適合させるために使用Gauss関数をGe-Sb-TeとGe-As-Se試料の構造単位の振動に起因していた。特性Ramanバンドの強度の系統的組成依存性を調べた組成線に沿ったGe-Sb-TeとGe-As-Se合金における異なる構造単位の濃度の変化と相関していた。Ramanバンドの強度における得られた組成傾向は他の非晶質Ge-Sb-TeとGe-As-Seカルコゲン化物の振動特性を予測すること可能にする。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *カルコゲン化物 ,  *ゲルマニウム ,  *合金 ,  *非晶質 ,  データ蓄積 ,  Ramanスペクトル ,  *Raman分光法
準シソーラス用語： Gauss関数 ,  フォトニクス ,  *組成依存性 ,  *振動特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Chalcogenides ,  Raman分光法 ,  Gauss ,  フォノン ,  組成傾向

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (10件)： Raman分光法 ,  非晶質 ,  Ge ,  Se ,  Sb ,  Te ,  カルコゲナイド ,  合金 ,  振動特性 ,  組成依存性