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J-GLOBAL ID：201702279551164439   整理番号：17A0621118

誘電薄膜における高熱異方性のための垂直配向(vo)BNにおけるナノプレーン配向の制御:エレクトロニクスにおける熱ホットスポット緩和の新しい解決法

Control of Nanoplane Orientation in voBN for High Thermal Anisotropy in a Dielectric Thin Film: A New Solution for Thermal Hotspot Mitigation in Electronics

著者 (8件)： COMETTO Olivier (CINTRA CNRS/NTU/THALES, Singapore) ,  SAMANI Majid K. (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  LIU Bo (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  SUN Shuangxi (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  TSANG Siu Hon (Temasek Lab.@NTU, Singapore) ,  LIU Johan (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  ZHOU Kun (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  TEO Edwin H.T. (Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 8  ページ： 7456-7464  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今日では,熱管理は電子デバイスの制限要因である。本研究では,voBNの熱伝導率の包括的な調査を行い,その異方性を評価し,分析した。3ω特性のおかげで,面内熱伝導率は,4.26W・m^-1・K^-1と求まり,面内熱伝導率の(0.26W・m^-1・K^-1)の16倍であった。さらに,シリコンとの熱境界コンダクタンスは,0.17X10⁸W・m^-1・K^-1と求まり,これはSiとSiO₂との間の熱境界コンダクタンスに類似することが判明した。

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  *配向 ,  *窒化ホウ素 ,  *ホットスポット ,  *熱伝導率 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： *垂直配向 ,  熱コンダクタンス

分類 (3件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T) ,  非金属のその他の熱的性質  (BL05040J)

タイトルに関連する用語 (10件)： 誘電薄膜 ,  高熱 ,  異方性 ,  垂直配向 ,  BN ,  配向 ,  エレクトロニクス ,  ホットスポット ,  緩和 ,  解決法