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J-GLOBAL ID：201702279587180185   整理番号：17A1480898

TritonX-100修飾グラフェン表面の量子化学的研究【Powered by NICT】

Quantum chemical study of Triton X-100 modified graphene surface

著者 (2件)： Jayaprakash Gururaj Kudur (Departamento de Ingenieria de Proyectos, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingenierias, Blvd. Marcelino Garcia Barragan 1421, Guadalajara Jal., C.P. 44430, Mexico) ,  Flores-Moreno Roberto (Departamento de Quimica, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingenierias, Universidad Guadalajara, Blvd. Marcelino Garcia Barragan 1421, Guadalajara Jal., C.P. 44430, Mexico)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 248  ページ： 225-231  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電極表面のモデリングを理解するその量子電気化学的性質を電気分析における興味深く重要である。界面電気化学を理解するためのTX-100修飾グラフェン表面をモデル化した。フロンティア分子軌道(FMO)理論と解析Fukui関数は修飾グラフェン表面上の電子移動部位の位置決めに適用した。TX-100修飾グラフェン表面について,TX-100のフェニル環は付加的な電子移動サイトとして作用した。TX-100修飾グラフェン表面は増加した電荷移動反応を示した。著者らの結果は,以前の実験的解釈と良く一致した。さらに,理想的なグラフェンの電荷移動部位に位置した,得られた結果は,理想的なグラフェンの末端炭素原子は酸化還元電子移動反応のためのより好ましい示唆している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電荷移動 ,  界面 ,  電子移動 ,  モデリング ,  酸化還元反応 ,  電気化学 ,  *グラフェン ,  フェニル基 ,  電子移動反応 ,  分子軌道 ,  *量子化学 ,  電解分析
準シソーラス用語： Fukui関数 ,  電気化学的特性 ,  電極表面 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 酸化還元反応性 ,  グラフェン ,  電気分析 ,  界面活性剤改質 ,  モデリング ,  福井

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 修飾 ,  グラフェン ,  量子化学 ,  研究