文献
J-GLOBAL ID:201702279633097660   整理番号:17A0762859

多結晶性鉄シート上の単分子層CVD-グラフェンの成長の改善

Improving the growth of monolayer CVD-graphene over polycrystalline iron sheets
著者 (5件):
資料名:
巻: 41  号: 12  ページ: 5066-5074  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0785A  ISSN: 1144-0546  CODEN: NJCHE5  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
炭素源としてメタンを用いたCVDプロセスによって,大部分が単分子層グラフェンから成る高品質のグラフェンフィルムを多結晶性鉄フォイル上に成長させた。反応中の反応温度,CH4/H2流速比および気体(CH4+H2)の合計流量がグラフェンの生成に及ぼす影響を種々の反応時間で調べた。光学顕微鏡とRaman分光法を特性解析技術として用いた。自作のExcel-VBA法を設計し,鉄金属フォイル上に堆積したグラフェンの種々の型(単分子層,二分子層,数分子層そして多分子層)の比率を決定し,定量的な品質を計算した。最適な実験条件下で堆積させたグラフェンフィルムは,高い単分子層グラフェン比率(試料中の含有率62.4%),高いI2D/IG比(~2.9),低いID/IG比(~0.026)および狭い二次元ピークのFWHM(~22cm-1)を示した。最適な合成条件は,1025°C,CH4/H2=0.25,合計流量(CH4+H2)=80Nml・min-1そして反応時間=7分であった。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
炭素とその化合物  ,  半導体の結晶成長 
物質索引 (1件):
物質索引
文献のテーマを表す化学物質のキーワードです
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る