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J-GLOBAL ID：201702279695977754   整理番号：17A0492486

MoS₂-NbS₂ナノリボン横方向へテロ構造の電子構造と輸送特性

Electronic structures and transport properties of a MoS₂-NbS₂ nanoribbon lateral heterostructure

著者 (6件)： Yang Zhixiong (Powder Metallurgy Research Institute and State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha 410083, People’s Republic of China. [e-mail]) ,  Pan Jiangling ,  Liu Qi ,  Wu Nannan ,  Hu Mengli ,  Ouyang Fangping
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 2  ページ： 1303-1310  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第1原理計算と非平衡Green関数法に基づいて,アームチェアMoS₂ナノリボン(AMoS₂NR)とアームチェアNbS₂ナノリボン(ANbS₂NR)から構築された横方向へテロ構造を研究した。AMoS₂NRの仕事関数は,他の種類のナノリボンの仕事関数とは異なる,ナノリボン幅の増加に伴って実質的な振動を示すことが分かった。AMoS₂NR-ANbS₂NRの横方向へテロ構造は,AMoS₂NRのバンドギャップよりもはるかに大きい異常輸送ギャップを示した。その結果,チャネルとしてAMoS₂NRを,電極としてANbS₂NRを有する電界効果トランジスタは,10⁶~10⁷の高いオン/オフ比と,10~8μA程度の小さなリーク電流を有した。これらの結果から,遷移金属ジカルコゲン化物の側方金属-半導体ヘテロ構造が,低エネルギー消費のナノデバイスにおいて潜在的な用途を有する可能性があることを示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *ニオブ化合物 ,  *硫化物 ,  ナノ構造 ,  リボン結晶 ,  素子構造 ,  *電子構造 ,  *輸送現象 ,  仕事関数 ,  バンドギャップ ,  チャネル ,  FET【トランジスタ】 ,  漏れ電流 ,  エネルギー消費 ,  カルコゲン化物 ,  計算
準シソーラス用語： ナノリボン ,  リーク電流 ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  *輸送特性 ,  *硫化ニオブ ,  第一原理計算

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： MoS2 ,  ナノリボン ,  横方向 ,  テロ ,  電子構造 ,  輸送特性