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J-GLOBAL ID：201702279716807020   整理番号：17A0548792

窒化ニオブチタン薄膜における磁場侵入長の電流依存性

著者 (6件)： 前田瞳 (静岡大 工) ,  武田正典 (静岡大 工) ,  牧瀬圭正 (情通機構) ,  小嶋崇文 (国立天文台) ,  島影尚 (茨城大 工) ,  寺井弘高 (情通機構)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15a-P7-19  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *超伝導薄膜 ,  ニオブ化合物 ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  単結晶 ,  直流 ,  *侵入度 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  転移温度 ,  超伝導
準シソーラス用語： *磁場侵入長 ,  超伝導転移温度 ,  電流依存性

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化ニオブ ,  チタン薄膜 ,  磁場侵入長 ,  電流依存性