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J-GLOBAL ID：201702279717017640   整理番号：17A0850853

BiVO_4と結合した改善された光触媒性能をもたらすNドープZnOナノシートにおける増強された表面面積,高Zn格子間欠陥とバンドギャップ減少【Powered by NICT】

Enhanced surface area, high Zn interstitial defects and band gap reduction in N-doped ZnO nanosheets coupled with BiVO₄ leads to improved photocatalytic performance

著者 (3件)： Singh Sonal (Deen Dayal Upadhyaya College, Dwarka, University of Delhi, New Delhi 110078, India) ,  Sharma Rishabh (Thin Film Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology, New Delhi 110016, India) ,  Mehta Bodh Raj (Thin Film Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology, New Delhi 110016, India)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 411  ページ： 321-330  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初めて,一連BiVO_4(N ZnO/BiVO_4)ヘテロ接合光触媒と結合した窒素ドープZnOナノシートを合成した。新しいN ZnO/BiVO_4材料は沈殿とこれに続く高温アニーリングプロセスの簡単で効果的な方法を介して調製した。N ZnO/BiVO_4複合材料の光触媒活性を可視光照射下での一般的な有機汚染物質メチレンブルー(MB)の分解で評価した。結果は,結合系の光触媒活性は光反応の利用可能な露出表面積に影響するN-ZnOにおけるBiVO_4の割合量により直接影響を受けることを明らかにした。30%N ZnO/BiVO_4システムは10%N ZnO/BiVO_450%N ZnO/BiVO_4よりも,それらのもとの対照物にも顕著な性能を示した。複合材料は90分で90%の分解効率同じ時間幅のための純粋なZnOの1.76倍の効率であることを示した。この顕著な光触媒効果は,バンドギャップの減少に起因すると亜鉛格子間欠陥バンド間の窒素ドーピングと増強された低エネルギー電荷キャリア遷移に起因したZnOの再結合速度を低下させ,N-ZnOにおけるBiVO_4の添加によって形成された界面におけるN-ZnOの伝導帯へ。実験結果に基づいて,窒素ドープZnO/BiVO_4光触媒のために提案されたZスキーム機構を考察した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 複合材料 ,  *ナノシート ,  界面 ,  光化学反応 ,  *光触媒 ,  *触媒活性 ,  *亜鉛 ,  *ドーピング ,  *バンドギャップ ,  表面積 ,  *酸化亜鉛 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： 可視光照射 ,  光触媒活性 ,  窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 窒素ドーピング ,  ZnO/BiVO_4複合材料 ,  展望 ,  ヘテロ接合 ,  Z枠組み

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  下水,廃水の化学的処理  (SC03050W)

タイトルに関連する用語 (10件)： 触媒性能 ,  ドープ ,  ZnO ,  ナノシート ,  増強 ,  表面面積 ,  Zn ,  格子 ,  欠陥 ,  バンドギャップ