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J-GLOBAL ID：201702279754618690   整理番号：17A0448770

シリコンナノ多孔質柱配列上に成長させたCdS/ZnOゴマ種子キャンデー構造の静電容量湿度感知特性【Powered by NICT】

Capacitive humidity sensing properties of CdS/ZnO sesame-seed-candy structure grown on silicon nanoporous pillar array

著者 (4件)： Feng Ming Hai (Department of Physics and Laboratory of Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052, PR China) ,  Feng Ming Hai (Department of Physics and Electronic Engineering, Xinyang Normal University, Xinyang 464000, PR China) ,  Wang Wen Chuang (College of Science, Henan Institute of Engineering, Zhengzhou 451191, PR China) ,  Li Xin Jian (Department of Physics and Laboratory of Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 698  ページ： 94-98  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基質としてシリコンナノ多孔性ピラーアレイ(Si NPA)を利用して,CdS/ZnOゴマ種子キャンデーの構造は化学蒸着と連続イオン層吸着反応法により連続的に成長するZnOナノロッドおよびCdSナノ粒子によりそれぞれ調製した。CdS/ZnO/Si NPAの容量性湿度センシング特性を,共面交差指電極を構築することにより検討した。相対湿度(RH)を11%から95%に増加すると,201,530%以上の容量応答が達成され,それはCdS/ZnO/Si NPA湿度に非常に敏感であることを示した。応答および回復時間は~110Sおよび32Sであると決定され,それぞれ,~75%RHで2.67%最大ヒステリシスであった。CdS/ZnO/Si NPAの高い湿度感度は,そのユニークなナノ構造により誘起された拡張された比表面積に起因し,短い応答/回復時間と小さなヒステリシスしたSi-NPAによってもたらされた河道網によるものであった。これらの結果は,CdS/ZnO/Si NPAが高性能湿度センサを作製するための理想的な材料系であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 比表面積 ,  *静電容量 ,  ヒステリシス ,  *湿度 ,  *硫化カドミウム ,  湿度センサ ,  相対湿度 ,  基質 ,  ナノ構造 ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： 回復時間 ,  交差指電極 ,  酸化亜鉛ナノロッド ,  ピラーアレイ ,  *ナノポーラス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 硫化カドミウム(CdS) ,  酸化亜鉛(ZnO) ,  シリコンナノ多孔性ピラーアレイ(Si NPA) ,  湿度センサ

分類 (4件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (10件)： シリコン ,  ナノ多孔質 ,  成長 ,  CdS ,  ZnO ,  ゴマ種子 ,  キャンデー ,  静電容量 ,  湿度 ,  感知