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J-GLOBAL ID：201702279930431628   整理番号：17A1171104

Pb修飾したGeSeガラスの熱的,構造的,および欠陥の研究【Powered by NICT】

Thermal, structural, and defect studies on Pb modified GeSe glasses

著者 (5件)： Kalra G. (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, Delhi 110007, India) ,  Upadhyay M. (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, Delhi 110007, India) ,  Abhaya S. (Materials Physics Division, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, Kalpakkam 603 102, India) ,  Murugavel S. (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, Delhi 110007, India) ,  Amarendra G. (Materials Physics Division, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, Kalpakkam 603 102, India)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 460  ページ： 146-152  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pb_xGe_42 xSe_58(0≦x≦20)ガラスに関する詳細な熱的,構造的,微細構造的および電気輸送研究を報告した。熱と局所原子構造に及ぼす鉛含有量と電子特性に及ぼすその定性的結果の影響を明らかにした。ガラス転移温度(T_g),ガラス転移での比熱容量の変化(ΔC_p)と非可逆エンタルピー変化(ΔH_NR)の組成依存変化をこれらのガラスの構造緩和挙動に及ぼすPb含有量の役割を可能にするために互いに補完しあっている。Raman分光研究は,異なる構造種の存在とPb含有率に伴うその変化を示し,すなわちPb含有量の取り込みと共にエタン様構造単位の量の減少が顕著になった。Ge_42Se_58ガラス,ネットワーク接続性へのPb含有量の添加は解重合に起因する緩和になる。エタン様構造単位の観測されたRamanバンド位置は,Pb含有量の増加と共に顕著な青方偏移,支配的なイオン性に起因するネットワーク構造における応力の発達を決定することを示した。陽電子消滅寿命分光法による微細構造研究は,欠陥状態の性質とPb含有率に伴うその変化を明らかにした。組成依存dc伝導度,その活性化エネルギーは荷電欠陥濃度の変化に起因するp-n転移しきい値の顕著な変化を示した。キャリア型反転(CTR)の原因となる欠陥状態の局所原子構造と性質の影響を議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 構造緩和 ,  エレクトロトランスポート ,  比熱 ,  *鉛 ,  Raman分光法 ,  原子構造 ,  青方偏移 ,  不可逆性 ,  *ガラス ,  ガラス転移点 ,  エンタルピー ,  微細構造 ,  活性化エネルギー ,  ガラス転移 ,  ネットワーク構造

著者キーワード (3件)： 非晶質半導体 ,  キャリア型の反転 ,  ポーラロン

分類 (1件)： ガラスの性質・分析・試験  (YC02030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： Pb ,  修飾 ,  ガラス ,  欠陥 ,  研究