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J-GLOBAL ID：201702279930757812   整理番号：17A1224222

パワーデバイス用半導体結晶~Si,SiC,GaN,ダイヤモンド,Ga₂O₃~-7 パワーデバイス用Ga₂O₃結晶

著者 (3件)： 人羅俊実 (FLOSFIA) ,  金子健太郎 (京大) ,  藤田静雄 (京大)
資料名： 電気学会誌  (電気学会雑誌)
巻： 137  号： 10  ページ： 693-696  発行年： 2017年10月01日 
JST資料番号： F0011A  ISSN： 1340-5551  CODEN： DGZAAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： コランダム構造(α構造)の酸化ガリウム(Ga₂O₃)を使用したショットキー障壁ダイオードの特性オン抵抗値は,Si,SiC及びGaNのものを凌駕している。本稿では,コランダム構造(α構造)Ga₂O₃の背景やデータを中心に,Ga₂O₃材料への期待や特長,デバイス特性について紹介した。

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *結晶 ,  *酸化ガリウム ,  コランダム型結晶 ,  Schottky障壁ダイオード ,  オン抵抗 ,  特性 ,  結晶成長
準シソーラス用語： *パワーデバイス ,  *半導体結晶 ,  デバイス特性

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： パワーデバイス ,  半導体結晶 ,  SiC ,  GaN ,  ダイヤモンド ,  Ga2O3 ,  結晶