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J-GLOBAL ID：201702279956821837   整理番号：17A0856499

全高分子太陽電池のためのπ-ブリッジとしてのエチニルを含む新規ペリレンジイミド系高分子電子受容体【Powered by NICT】

Novel perylene diimide based polymeric electron-acceptors containing ethynyl as the π-bridge for all-polymer solar cells

著者 (10件)： Chang Huan (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510641, China) ,  Chen Zhiming (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510641, China) ,  Yang Xiye (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510641, China) ,  Yin Qingwu (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510641, China) ,  Zhang Jie (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510641, China) ,  Ying Lei (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510641, China) ,  Jiang Xiao-Fang (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510641, China) ,  Xu Baomin (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, Guangdong Province, 518055, China) ,  Huang Fei (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510641, China) ,  Cao Yong (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, 510641, China)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 45  ページ： 227-233  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペリレンジイミド(PDI)に基づく二n型ドナー-アクセプタ共重合体を設計し,合成した。これらの共重合体は,PDIの間のπ-架橋とベンゾジチオフェン(BDT)またはフッ素(F)のいずれかの電子供与単位としてエチニル部分を含み,対応する重合体PPDI BDTとPPDI F以下それぞれ,であった。分子構造と重合体の光学的および電気化学的性質は電子供与単位の影響を受けた。双方の共重合体は比較的広い光吸収プロファイルと深い最低非占有分子軌道エネルギー準位約 3.8eVを示した。全高分子太陽電池(全てのPSC)は,これらの共重合体の電子受容性物質および中バンドギャップ共役高分子,PBDB T,電子供与性材料としてを用いて作製した。PPDI Fに基づいて得られた全てのPSCは5.09%の電力変換効率,PPDI BDT(2.73%)を用いて作製したデバイスのそれより有意に高かった。この改善はPBDB T:PPDI Fブレンド膜の高い開路電圧,より大きな電荷キャリア移動度,より効果的な電荷移動に起因した。これらの結果は開発したn型PDIベース共重合体は,高性能全高分子太陽電池の構築のための電子輸送性材料として有望な候補であることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 分子構造 ,  ドナー ,  重合体 ,  *高分子 ,  バンドギャップ ,  共重合体 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： 電子輸送 ,  開回路電圧 ,  電力変換効率 ,  共役重合体 ,  軌道エネルギー準位 ,  電気化学的特性 ,  *電子受容体 ,  *高分子太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 全高分子太陽電池 ,  n型共役重合体 ,  エチニル結合

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高分子太陽電池 ,  ブリッジ ,  ペリレンジイミド ,  高分子 ,  電子受容体