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J-GLOBAL ID：201702280020996408   整理番号：17A0549438

Ge薄膜/Si基板構造におけるドーパントの安定性に与える背景電荷と平面応力の影響

著者 (2件)： 稲垣淳 (岡山県大 大学院) ,  末岡浩治 (岡山県大 情報工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15p-P8-4  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *半導体薄膜 ,  *ウエハ【IC】 ,  *ドーパント ,  *平面応力 ,  エネルギー ,  歪
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  形成エネルギー ,  引張歪

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ge ,  薄膜 ,  Si基板 ,  ドーパント ,  安定性 ,  背景 ,  電荷 ,  平面応力