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J-GLOBAL ID：201702280056378830   整理番号：17A1169736

数0.9MeV電子および15MeV陽子を照射した浮遊帯n型けい素中のりん-空格子点錯体の開空孔体積の陽電子プロービング【Powered by NICT】

Positron probing of open vacancy volume of phosphorus-vacancy complexes in float-zone n-type silicon irradiated by 0.9-MeV electrons and by 15-MeV protons

著者 (10件)： Arutyunov Nikolay (Department of Physics, Martin Luther University Halle, von-Danckelmann-Platz 3, 06120 Halle, Germany) ,  Arutyunov Nikolay (Ioffe Physico-Technical Institute, 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Arutyunov Nikolay (Institute of Ion-Plasma and Laser Technologies (Institute of Electronics), 700170 Tashkent, Uzbekistan) ,  Emtsev Vadim (Ioffe Physico-Technical Institute, 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Elsayed Mohamed (Department of Physics, Martin Luther University Halle, von-Danckelmann-Platz 3, 06120 Halle, Germany) ,  Elsayed Mohamed (Faculty of Science, Department of Physics, Minia University, 61519 Minia, Egypt) ,  Krause-Rehberg Reinhard (Department of Physics, Martin Luther University Halle, von-Danckelmann-Platz 3, 06120 Halle, Germany) ,  Abrosimov Nikolay (Leibniz Institute for Crystal Growth, D-12489 Berlin, Germany) ,  Oganesyan Gagik (Ioffe Physico-Technical Institute, 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Kozlovski Vitalii (St. Petersburg State Polytechnical University, 195251 St. Petersburg, Russia)
資料名： Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics  (Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics)
巻： 14  号： 7  ページ： ROMBUNNO.201700120  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1400A  ISSN： 1862-6351  CODEN： PSSCGL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初めて,浮遊帯域シリコンの結晶,FZ Si(P)とn FZ Si(Bi)の同じウエハからカットされ,試料は室温で,0.9MeV電子および15MeV陽子照射を受ける低温陽電子消滅寿命分光法によりそれらを研究した。Hall効果の測定は材料特性化のための使用されてきた。りん原子を含む熱的に安定なV族不純物空格子点複合体の開空孔体積(V_op)に焦点を当てているビスマス空格子点複合体を簡単に検討した。照射したn FZ Si(P)材料におけるPV対(E中心),複空格子点,及び熱的に安定な欠陥の陽電子プロービングのデータを比較した。~500°Cで等時アニーリングの過程における欠陥関連陽電子消滅寿命の信頼できる検出を超えて,リンに関連した浅いドナー状態の濃度の回収率は~650 700°Cまで続いている。開空孔体積(gr.V原子)-V_op錯体における長い陽電子寿命Δτ_2~271 289psにより特性化されてV_opは空格子点,τ(V_1)および二重空格子点,τ(V_2)のための入手可能な理論的データと比較した。拡張された半空格子点,2V_s ext,緩和空格子点,2V_inw,(gr.V原子)-V_op錯体における開いた体積V_opとして提案されている。高アニーリング温度で欠陥P_s V_op P_sが分解されたことを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Hall効果 ,  *陽電子 ,  緩和現象 ,  ビスマス ,  陽子照射 ,  *陽子 ,  焼なまし ,  不純物 ,  陽電子消滅 ,  *錯体 ,  キャラクタリゼーション ,  複合体 ,  *ケイ素 ,  リン
準シソーラス用語： 陽電子寿命 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 陽電子消滅 ,  放射線欠陥 ,  シリコン ,  熱的に安定なリンに関連した錯体

分類 (3件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (10件)： 電子 ,  陽子 ,  浮遊 ,  けい素 ,  りん ,  空格子点 ,  錯体 ,  空孔 ,  体積 ,  陽電子