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J-GLOBAL ID：201702280196610582   整理番号：17A1364432

ゲート掃引によるInAs量子ホール伝導特性の改善

著者 (4件)： 秋保貴史 (NTT 物性科学基礎研) ,  入江宏 (NTT 物性科学基礎研) ,  小野満恒二 (NTT 物性科学基礎研) ,  村木康二 (NTT 物性科学基礎研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 72  号： 2  ページ： ROMBUNNO.22aB31-6  発行年： 2017年09月25日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *量子Hall効果 ,  *導電性 ,  *Shubnikov-de Haas効果 ,  量子井戸
準シソーラス用語： InAs ,  *電気伝導特性

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート ,  掃引 ,  InAs ,  量子 ,  ホール ,  伝導