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J-GLOBAL ID：201702280313242775   整理番号：17A1273574

FDSOI技術における弱い抵抗開放時および短絡欠陥の検出のための包括的研究【Powered by NICT】

Comprehensive Study for Detection of Weak Resistive Open and Short Defects in FDSOI Technology

著者 (6件)： Karel Amit ,  Azais Florence ,  Comte Mariane ,  Galliere Jean-Marc ,  Renovell Michel ,  Singh Keshav
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISVLSI  ページ： 320-325  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 28nm UTBB FDSOI技術で実現した教訓的回路のための遅延テストを用いた抵抗開放と抵抗短い欠陥の検出のための詳細な解析を提示した。正規VT(RVT)と低VT(LVT),技術によって提供された二種類のVTオプションが,探られた。HSPICEシミュレーションに基づいて,本研究は,遅延試験の文脈における抵抗性短と抵抗性オープン欠陥の最大被覆を達成するための電力供給とボディバイアスの点で最も適切な運転条件を決定した。結果は,低供給電圧と共に逆ボディバイアス抵抗短い欠陥の検出に有利であることを示し,順方向ボディバイアスと組み合わせた高電源電圧は抵抗性オープン欠陥の検出のためのより適切であることが判明した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 被覆 ,  *電力供給 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 電源電圧 ,  供給電圧 ,  運転条件 ,  基板バイアス ,  HSPICE ,  教訓 ,  *FDSOI , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (4件)： FDSOI ,  短絡 ,  欠陥 ,  研究