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J-GLOBAL ID:201702280456673263   整理番号:17A1722882

赤外応用のための炭化けい素マイクロディスクの熱光学特性化【Powered by NICT】

Thermo-optic characterization of silicon carbide microdisks for infrared applications
著者 (8件):
資料名:
巻: 2017  号: CLEO/Europe-EQEC  ページ:発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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炭化ケイ素(SiC)は高い熱伝導率,高電界ブレークダウン強度,高最大電流密度[1]のおかげで高温度と高電圧エレクトロニクスの分野でよく知られた材料である。強い不活性と低熱膨張と同時に,これは炭化けい素を極限条件センシング[2]の良好な材料。SiCの立方晶構造(3C)をシリコン上に成長させることができるという事実は,シリコン技術の大部分に適合可能にする。同時に,炭化けい素は中赤外範囲[3 4]に近いからの非線形フォトニクスのための特に有望ないくつかの良好な光学的性質を示した。その高い屈折率(波長1.5μmでn~2.6)は良好な光閉込めを可能にした。他の結晶構造[5]に関する研究は3C-SiCは,その広いバンドギャップ[6]により存在しない実質的にシリコンと非線形損失 しばしば非線形プロセスに有害 に匹敵する非線形屈折率と良好な非線形特性を示す可能性があることを示唆した。本研究では,中赤外波長に近いからの非線形操作のために設計されたシリコン基板上の炭化けい素マイクロディスクの線形光学的と熱的特性評価を報告した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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セラミック・磁器の性質 
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