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J-GLOBAL ID:201702280553465189   整理番号:17A0771431

IGBTゲート特性とパラメータ抽出【JST・京大機械翻訳】

IGBT Gate Characteristics and Parameter Extraction Methods
著者 (3件):
資料名:
巻: 24  号:ページ: 76-80  発行年: 2009年 
JST資料番号: C2502A  ISSN: 1000-6753  CODEN: DIJXE5  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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絶縁バイポーラトランジスタ(IGBT)は各種のパワーエレクトロニクス装置に広く応用されているが、長い間、その内部パラメータの抽出に有効な手段が欠けており、そのため、シミュレーションモデルの応用及び使用レベルの向上に影響を与えている。IGBTゲートの従来の平面構造と新型の溝構造を比較し、その動作メカニズムと半導体物理方程式に基づいて理論分析と公式導出を行い、既存の方法の不足を分析した上で、IGBTゲートの各パラメータ抽出のいくつかの新しい方法を提案した。また、あるタイプの具体的なデバイスに対して、異なる作動条件下で抽出実験を行い、得られたパラメータ値はいずれも良好な一致性があり、同時にこの方法の正確性を証明した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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電力変換器 
タイトルに関連する用語 (3件):
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