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J-GLOBAL ID：201702280601806530   整理番号：17A1636559

40nm CMOSによるSIWベース高調波電力抽出器を用いた475~511GHz放射源【Powered by NICT】

A 475-511GHz radiating source with SIW-based harmonic power extractor in 40 nm CMOS

著者 (2件)： Guo Kaizhe (KU Leuven, ESAT-MICAS, Kasteelpark Arenberg 10, 3001 Leuven, Belgium) ,  Reynaert Patrick (KU Leuven, ESAT-MICAS, Kasteelpark Arenberg 10, 3001 Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMS  ページ： 95-98  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,40nm CMOSによる0.49テラヘルツ(THz)放射源を示した。放射源は交差結合発振器,示差3逓倍器,基板集積導波路(SIW)に基づく高調波電力抽出(HPE)と折返しダイポールアンテナで構成されている。HPEは第三高調波電力抽出を最適化し,望ましくない低次高調波漏れの抑制を提供することができる。放射源の測定した等価等方性放射電力(EIRP)は 4.1dBmである。11.2dBのシミュレートされたアンテナ利得によれば,信号源の出力パワーとDCへのTHz効率は15.3dBmと0.173%と計算できた。出力周波数は10dB EIRP変動内で475~511GHzの範囲で調整できた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *抽出装置 ,  *CMOS ,  等方性 ,  周波数 ,  *高調波 ,  最適化 ,  テラヘルツ波 ,  *電力 ,  ダイポールアンテナ ,  放射電力
準シソーラス用語： 信号源 ,  アンテナ利得 ,  第三高調波 ,  基板集積導波路 ,  結合発振器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： アンテナ  (ND06000M) ,  無線通信一般  (ND08010L) ,  その他の伝送回路素子  (NC04070U) ,  導波管,同軸線路  (NC04040N) ,  フィルタ一般  (NC04021I)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS ,  SIW ,  高調波 ,  抽出器 ,  放射源