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J-GLOBAL ID：201702280711014857   整理番号：17A1646240

AlGaN/GaNパワーデバイスにおける温度依存性基質捕獲と動的Oleronへの影響【Powered by NICT】

Temperature dependent substrate trapping in AlGaN/GaN power devices and the impact on dynamic ron

著者 (6件)： Stockman Arno (ON Semiconductor, Oudenaarde, Belgium) ,  Uren Michael (University of Bristol, Bristol, United Kingdom) ,  Tajalli Alaleh (University of Padova, Padova, Italy) ,  Meneghini Matteo (University of Padova, Padova, Italy) ,  Bakeroot Benoit (CMST imec/Ghent University, Ghent, Belgium) ,  Moens Peter (ON Semiconductor, Oudenaarde, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ESSDERC  ページ： 130-133  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN電力高電子移動度トランジスタ(HEMT)の温度依存基板傾斜測定は基板バイアスの関数としてバッファ構造における電荷再分布に関する情報を抽出するために使用した。測定は理論的モデルと比較して,理想的な容量バッファスタックを示している。は室温でのいくつかの負電荷は緩衝液に貯蔵されていることが分かった。しかし,より高い温度で,正電荷貯蔵は,GaNチャネル層を通るバンド間トンネリングの結果として生じ,バルクトラップ誘起された動的オン抵抗を抑制した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *温度依存性 ,  *窒化ガリウム ,  オン抵抗 ,  チャネル ,  *捕獲 ,  トンネル効果 ,  HEMT ,  帯電 ,  負電荷
準シソーラス用語： 理論モデル ,  電荷再分布 ,  基板バイアス ,  電力HEMT ,  *パワーデバイス ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaNパワーデバイス ,  温度依存性 ,  基質 ,  捕獲