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J-GLOBAL ID：201702280799949157   整理番号：17A1420408

パルスレーザ蒸着により成長させたK_3Li_2Nb_5O_15薄膜の構造と電気的性質【Powered by NICT】

Structural and electrical properties of K₃Li₂Nb₅O₁₅ thin film grown by pulsed laser deposition

著者 (5件)： Allouche B. (LPMC, Universite de Picardie Jules Verne, 33 rue saint Leu, 80039 Amiens cedex, France) ,  Gagou Y. (LPMC, Universite de Picardie Jules Verne, 33 rue saint Leu, 80039 Amiens cedex, France) ,  Belboukhari A. (LMCN, F.S.T.G. Universite Cadi Ayyad Marrakech, Morocco) ,  Le Marrec F. (LPMC, Universite de Picardie Jules Verne, 33 rue saint Leu, 80039 Amiens cedex, France) ,  El Marssi M. (LPMC, Universite de Picardie Jules Verne, 33 rue saint Leu, 80039 Amiens cedex, France)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 94  ページ： 287-290  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 正方晶タングステンブロンズ構造(TTB)薄膜とニオブ酸カリウムリチウムK_3Li_2Nb_5O_15(KLN)をパルスレーザアブレーション法によりMgO基板上に堆積することに成功した。基板はLa_0 5Sr_0 5CoO_3のペロブスカイト導電性層で被覆した。X線回折は低モザイク度を持つ(001)配向を明らかにした。配向膜は反射高速電子回折と原子間力顕微鏡法によって証明されたように,滑らかで液滴自由表面を持っていた。Ptトップ電極を用いて,誘電測定は10~5Hzまで約400の安定した誘電率を示した。誘電緩和も観察された。さらに,得られた(001)KLN膜の静電容量電圧測定は,強誘電挙動を示した。著者らの結果は,正方晶タングステンと他の複雑な材料の成長への有用な洞察を提供した。これらの結果は,ペロブスカイトとSi基板上のエピタキシャルTTB薄膜の成長と統合に有用であろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 静電容量 ,  エピタクシー ,  正方晶系 ,  酸化マグネシウム ,  *パルスレーザ蒸着 ,  誘電率 ,  タングステンブロンズ ,  タングステン ,  *薄膜 ,  誘電緩和 ,  RHEED ,  ニオブ酸カリウム ,  白金 ,  X線回折
準シソーラス用語： パルスレーザアブレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 強誘電体薄膜 ,  KLN ,  TTB構造 ,  PLD ,  RHEED

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： パルスレーザ蒸着 ,  成長 ,  薄膜 ,  電気的性質