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J-GLOBAL ID：201702280867447819   整理番号：17A0412324

接続部位によるジグザグエッジグラフェンナノリボンにおける磁気的性質の調節【Powered by NICT】

Modulation of the magnetic properties in zigzag-edge graphene nanoribbons by connection sites

著者 (4件)： Deng X.Q. (School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha, 410114, People’s Republic of China) ,  Zhang Z.H. (School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha, 410114, People’s Republic of China) ,  Sun L. (School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha, 410114, People’s Republic of China) ,  Wu L.J. (School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha, 410114, People’s Republic of China)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 41  ページ： 376-383  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理法に基づいて,ジグザグ端グラフェンナノリボン(ZGNR)接合の磁気的性質を調べた。結果は,このシステムがZGNR電極と中央ZGNRの間の結合サイトに依存して強磁性あるいは反強磁性基底状態を有することを示す。結合部位はZGNRのエッジに変化させると接合は中心ZGNRは強磁性状態を有する電極の中央部で接続したとき金属的挙動を示したが,著明なスピン半導体特徴を示した。反強磁性状態では,全てのモデルは半導体挙動,スピン縮退したエッジ状態に起因することを示した。が反平行スピン配置に対する中枢性リボンのスピン密度は結合部位に影響され,また,底部中央部から移動中心リボン,強磁性あるいは反強磁性状態とは明らかに異なると少しずつ弱いをほとんど示さない。中央ZGNRの一つのエッジ状態が壊れたとき,バイポーラスピン半導体特徴は適切な接続部位で異なるバンドギャップを得ることができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 基底状態 ,  *磁気的性質 ,  スピン密度 ,  結合部位 ,  半導体 ,  第一原理 ,  バンドギャップ ,  強磁性 ,  縮退 ,  *折れ線 ,  反強磁性
準シソーラス用語： エッジ状態 ,  *グラフェンナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： グラフェンナノリボン接合 ,  半導体挙動 ,  バイポーラスピン半導体

分類 (2件)： 有機化合物の磁性  (BM06070A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 接続部 ,  磁気的性質 ,  調節