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J-GLOBAL ID:201702280911843547   整理番号:17A0160675

GIXRR反射率曲線に基づくシリカナノ薄膜の厚さ計算【JST・京大機械翻訳】

Thickness Calculation of Silicon Dioxide Nano-Film Based on GIXRR Reflectivity Curve
著者 (7件):
資料名:
巻: 36  号: 10  ページ: 3265-3268  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2093A  ISSN: 1000-0593  CODEN: GYGFED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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ナノ薄膜の厚さを迅速かつ正確に得るために,膜厚さの線形フィッティング式をKIESSIG厚さ干渉縞を用いて計算し,異なる厚さ(10~120NM)のシリカ薄膜を計算した。薄膜の厚さのステップと影響因子を,熱(T-ALD)によって,薄膜の厚さをすれすれ入射X線反射(GIXRR)技術によって特性評価した。2つの方法によって得られた膜厚を,XRR2.0ソフトウェアを用いて比較し,最後に,膜厚を計算するための新しい方法-経験的曲線法を提案した。結果は以下を示す。ピーク位置は線形フィッティングの厚さに影響し,ピーク位置は増加し,厚さは増加した。ピーク位置は反射角と同様に線形フィッティング厚さに大きく影響し,干渉縞の周期が増大し,厚さが減少することを示した。しかし、ピーク位置級数と対応する反射角が薄膜の厚さをフィッティングする過程に導入した誤差はさらに法により、角と干渉縞の周期のキャリブレーションによって減少する。任意の厚さの同じサンプルに対して、線形フィッティングとソフトウェアフィッティングの2つの方法で得られた薄膜の厚さは一致性があり、厚さの偏差はいずれも0.1NMより小さく、線形フィッティング方法の正確性を表明した。膜厚さと干渉縞周期の間の経験的関係曲線を,厚さの正確な値に基づいて提案し,それにより,干渉縞の周期を用いて,膜厚を直接計算することができ,この方法は,線形フィッティング過程におけるピーク位置および対応する反射角を決定した。また、ソフトウェアフィッティング過程における複雑なモデルの確立を避け、薄膜の厚さ情報を迅速かつ正確に獲得するには重要な意義がある。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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干渉測定と干渉計 
タイトルに関連する用語 (5件):
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