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J-GLOBAL ID：201702280973337157   整理番号：17A0258093

SIC/TI拡散接合過程における原子拡散と界面反応【JST・京大機械翻訳】

Atomic diffusion and interface reaction during diffusion bonding of SiC / Ti under alternating electric field

著者 (5件)： Sun Dongli (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology) ,  Zhang Ningbo (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology) ,  Wang Qing (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology) ,  Li Qihai (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology) ,  Han Xiuli (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology)
資料名： Harbin Gongye Daxue Xuebao  (Harbin Gongye Daxue Xuebao)
巻： 48  号： 11  ページ： 61-68  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1450A  ISSN： 0367-6234  CODEN： HPKYAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 界面の原子拡散挙動と界面反応に及ぼす電界の影響を研究するために,SICとTIの間の拡散接合プロセスを導入した。走査電子顕微鏡(SEM),エネルギー分散X線分光分析(EDS),X線回折(XRD),およびせん断試験を用いて,SIC/TI拡散接合界面の構造,原子拡散,および剪断強さに及ぼす直交の影響を研究した。電場支援拡散接合の物理的メカニズムを検討した。研究結果は以下を示す。空洞の閉鎖段階において、電圧は界面に極大な鏡像吸着力を発生させ、2つの表面の結合を更に密にし、界面の吸着力は印加電圧の増大と界面間の距離の減少によって増大する。拡散反応段階において、印加電圧は界面の原子拡散フラックスを増加させ、即ち外部電場はSICとTI拡散接合界面の原子の拡散を促進し、電圧が大きいほど、促進作用は明らかである。直流電圧の下では,拡散接合界面に正の負の効果があり,交流電圧の効果はない。950V/1.5H/7.5MPAの条件で,400VのAC電圧拡散接合部の強度は63.8±9.4MPAであり,界面反応層の相構造はSIC/ TIC+TI_5SI_3/TIであった。電界は界面原子の拡散をある程度促進し,結合効率を向上させることができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  電場 ,  剪断試験 ,  走査電子顕微鏡 ,  直流電圧 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  交流電圧 ,  剪断強さ ,  *界面 ,  X線回折 ,  *拡散接合
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  接合界面 ,  *界面反応 ,  *原子拡散 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： diffusion bonding ,  SiC ,  Ti ,  interface ,  electric field

分類 (6件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  下水,廃水の化学的処理  (SC03050W) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  無機化合物の物理分析  (CC03024P) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  Ti ,  拡散 ,  接合過程 ,  原子拡散 ,  界面反応