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J-GLOBAL ID:201702280986961494   整理番号:17A1772001

アルゴリズム的抵抗と電力測定に基づく抵抗変換器のためのCMOS読出し回路【Powered by NICT】

A CMOS Readout Circuit for Resistive Transducers Based on Algorithmic Resistance and Power Measurement
著者 (7件):
資料名:
巻: 17  号: 23  ページ: 7917-7927  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1318A  ISSN: 1530-437X  CODEN: ISJEAZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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だけでなく抵抗変換器の抵抗を示したが,また,消費電力,熱流センサまたは熱伝導率センサの重要なパラメータを正確に測定できる読み出し回路を報告した。標準CMOS技術で集積された,フロントエンド回路は変換器の電圧降下を設定し,オンチップ基準抵抗によって得られた電流を感知する。変換器と基準抵抗を横切る電圧を時間多重化して高分解能アナログ-ディジタル変換器(ADC)によってデジタル化抵抗と電力消費を計算した。正確な抵抗及び電力の大きさを得るために,電圧基準と温度補償参照抵抗が必要である。正確な電圧基準はアルゴリズム的に構築し,精度アナログ信号処理に頼らずに,いくつかの異なる電流レベルでバイアスしたオンチップバイポーラトランジスタのベース-エミッタ電圧をディジタル連続的にA DCを用いた,18ppm/°Cの温度係数,最先端に近いによる精密曲率補正バンドギャップ基準の等価を得るために結果を組合せることである。同じA DC測定値は,金型温度を決定し,1点トリム後±0.25°C(5試料,min-max)の絶対不正確に使用できることを示した。この情報はオンチップ多結晶シリコン参照抵抗の温度依存性を補償するために使用,効果的に温度補償抵抗基準を提供した。このアプローチを用いて,100Ω変換器の抵抗と電力消費は,±0.55 Ω以下と±0.8%の精度で測定し,それぞれ 40°Cから125°Cにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
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半導体集積回路  ,  分析機器  ,  電流,電圧,電荷の計測法・機器  ,  電源回路  ,  電力変換器 
タイトルに関連する用語 (5件):
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