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J-GLOBAL ID：201702281019936206   整理番号：17A1181714

修正次双曲型速度場表現を用いた電荷に基づくドレイン電流発現に及ぼすGummel対称性試験【Powered by NICT】

Gummel Symmetry Test on charge based drain current expression using modified first-order hyperbolic velocity-field expression

著者 (2件)： Singh Kirmender (Department of ECE, Jaypee Institute of Information Technology, Noida, India) ,  Bhattacharyya A.B. (Department of ECE, Jaypee Institute of Information Technology, Noida, India)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 129  ページ： 188-195  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Gummel対称性テスト(GST)はMOSFETモデルのベンチマーク産業標準となっているとモデリングコミュニティによる重要な試験の一つと考えられている。ドレイン電流方程式は対称ではないとしてBSIM4MOSFETモデルは,GSTを通過しないドレインとソースポテンシャルはバルクに参照されるないからである。BSIM6MOSFETモデルはバルクに関連した全ての末端バイアスと適切な速度飽和(v E)モデルを用いることによりこの限界を克服した。BSIM6のドレイン電流方程式は電荷に基づいてすべての動作領域で連続的であった。が,ソースとドレイン電荷を計算するための複雑な工法を採用した。本研究では,GSTを通過する単純な解析的ドレイン電流表現を得るためのEnzによって定式化された従来の電荷ベース法を用いることを提案した。この目的のために,二段階を採用(i)第一段階では,可積分,簡単で正確な調整可能な係数で修飾した一次双曲型V-Eモデルを使用し,(ii)二では,修正一次反応速度双曲型V-E発現の増倍因子を用いる横方向電場の起源周囲の正しい単調漸近挙動を得た。この因子は経験的型,ドレイン電圧(v d)と電源電圧(v s)の関数であるである。上記ステップの両方を考慮した後,その精度は第二近似解双曲型V-Eモデルから得られたものと同様のドレイン電流表式を得た。修正一次双曲型V-E発現においてV DおよびVは効果的なドレイン電圧(V deff)と有効電源電圧(V seff)のための平滑化関数で置き換えれば,手術の飽和領域への線形の間の不連続性の注意を払うと同様であろう。対称性の条件は,ドレイン電流とその高次導関数による満足であることを示し,それらの両方が奇関数であり,偶数次導関数は原点を通過滑らかにした。22nmの強い反転領域と技術ノードではGSTは第六次導関数まで通過することが示され,弱い反転では第五次導関数まで示した。垂直電界移動度減少のようなドレイン電流の主要な短チャネル現象の発現では,速度飽和と速度オーバーシュートを考慮に入れた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： MOSFET ,  不連続性 ,  電場 ,  ベンチマーク ,  定式化 ,  導関数 ,  漸近挙動 ,  バイアス ,  オーバシュート ,  平滑化 ,  *対称性 ,  *電荷 ,  線形性
準シソーラス用語： 電源電圧 ,  *ドレイン電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 改良次双曲型V-Eモデル ,  ドレイン電流 ,  速度オーバシュート ,  強い反転 ,  弱インバージョン ,  Gummel対称性試験(GST)

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 速度場 ,  表現 ,  電荷 ,  ドレイン電流 ,  発現 ,  対称性 ,  試験