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J-GLOBAL ID：201702281048378809   整理番号：17A0579297

ダイヤモンドとシリコンの5回対称性の双晶の境界に於ける応力集中

Strain Concentration at the Boundaries in 5-Fold Twins of Diamond and Silicon

著者 (4件)： YU Rong (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  WU Hao (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  WANG Jia Dao (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  ZHU Jing (Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 4  ページ： 4253-4258  発行年： 2017年02月01日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿でダイヤモンドとシリコンの5回対称性双晶の原子構造が収差補正した透過電子顕微鏡と第一原理計算を組み合わせて研究した。金属系に於ける応力分布と対照的に,半導体5回対称性双晶に於ける応力分布はせん断率と体積弾性率のPugh比に著しく依存することが示された。非常に高いPugh比を有するダイヤモンドの場合,応力は双晶の境界に高く集中する。同様に,フロンティア軌道はシリコンのケースとは対照的に表面に位置し,そこではフロンティア軌道は双晶中心に近い。エンジニアリング応用に材料特性を調整する為に材料弾性による応力状態と表面電子構造の変化を利用することが出来る。

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *ケイ素 ,  対称性 ,  *双晶境界 ,  *応力集中 ,  *原子構造 ,  収差補正 ,  透過型電子顕微鏡 ,  計算 ,  *応力分布 ,  フロンティア軌道 ,  *電子構造 ,  *半導体
準シソーラス用語： 5回対称性 ,  透過電子顕微鏡 ,  第一原理計算 ,  *表面電子構造

分類 (2件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ダイヤモンド ,  シリコン ,  対称性 ,  双晶 ,  境界 ,  応力集中