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J-GLOBAL ID：201702281084818766   整理番号：17A1460552

膜材料における最近の進歩とほう素除去のための技術【Powered by NICT】

Recent advances in membrane materials and technologies for boron removal

著者 (4件)： Tang Yu Pan (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, National University of Singapore, 4 Engineering Drive 4, Singapore 117585, Singapore) ,  Luo Lin (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, National University of Singapore, 4 Engineering Drive 4, Singapore 117585, Singapore) ,  Thong Zhiwei (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, National University of Singapore, 4 Engineering Drive 4, Singapore 117585, Singapore) ,  Chung Tai Shung (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, National University of Singapore, 4 Engineering Drive 4, Singapore 117585, Singapore)
資料名： Journal of Membrane Science  (Journal of Membrane Science)
巻： 541  ページ： 434-446  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0669A  ISSN： 0376-7388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水溶液系からのホウ素化合物の除去は世界的な注目を受けている種々の水源中のほう素汚染は近年高まっているからである。生物へのほう素毒性と半導体製造への有害性が研究者によってアクセスとますます認識されている。広範囲の技術がホウ素除去のための明らかにされた。それらの中で,ホウ素除去のための膜技術は,科学的スポットライトようになってきた。特に,いくつかの出現した膜プロセスが最近開発した,例えば正浸透(FO),ポリマ強化限外ろ過(PEUF),膜吸着ろ過(MAF),膜蒸留(MD)などであった。それらの大部分は,従来の方法に比べて多くの競争力を示した。本概観は膜材料,膜作製とシステム設計の観点から膜をベースとした脱ほう素技術における最近の進歩の包括的な概要を提示した。各種膜プロセスの比較と各技術の展望について述べた。情報は将来の研究者のインスピレーションを提供し,今後の効果的かつ効率的な脱ホウ素技術を開発する道を開く可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ホウ素化合物 ,  吸着 ,  水源 ,  有害性 ,  *ホウ素 ,  システム設計 ,  水溶液 ,  限外濾過
準シソーラス用語： 膜蒸留 ,  正浸透 ,  膜プロセス ,  膜技術 ,  半導体製造 ,  ホウ素毒性 ,  *ホウ素除去 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 膜材料 ,  膜プロセス ,  高分子膜 ,  ホウ素除去

分類 (1件)： 膜分離  (XD02120Z)

タイトルに関連する用語 (2件)： 膜材料 ,  ほう素