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J-GLOBAL ID：201702281116242183   整理番号：17A0399688

高濃度ひ素をドープしたシリコン結晶中の酸素析出挙動【Powered by NICT】

Oxygen precipitation behavior in heavily arsenic doped silicon crystals

著者 (3件)： Haringer Stephan (MEMC Electronic Materials SpA, via Nazionale 59, 39012 Merano, Italy) ,  Gambaro Daniela (MEMC Electronic Materials SpA, viale Gherzi 31, 28100 Novara, Italy) ,  Porrini Maria (MEMC Electronic Materials SpA, via Nazionale 59, 39012 Merano, Italy)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 457  ページ： 325-330  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヒ素濃度と酸素含有量の異なるレベルを含むシリコン結晶を成長させ,試料を結晶に沿って種々の位置で採取された引上げ装置における結晶成長と冷却中の酸素析出物の核形成,すなわち初期酸素含有量,ドーパント濃度と熱履歴,三つの主要因子の影響を研究した。結晶熱履歴を計算機モデリングを用いて再構築し,いくつかの成長段階での結晶内の温度分布をシミュレートした。酸素析出は核成長のための1000°Cでの核安定化時間800°Cで4hの熱サイクル後に特性化した。酸素析出物は,優先的なエッチング後の切断された試料表面に顕微鏡下で計数した。軽くドープしたシリコン試料も含まれ,参照として。著者らの結果は,高濃度にひ素ドープしたシリコンでも酸素析出は初期酸素濃度の強い関数であり,軽くドープしたシリコンで観察されたものと類似していることを示した。添加では,ドーパント濃度が同じ初期酸素含有量と結晶熱履歴を持つ低濃度ドープ試料と比較して1.7×10~19cm~ 3より高いときにひ素をドープした試料で観察される析出遅延効果。最後に,450°Cと750°Cの間の温度範囲で結晶の長耐久時間は酸素析出,これは高濃度にひ素ドープしたシリコン中の酸素析出物の核形成のための有効温度範囲であることを示すを増強した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 析出物 ,  *酸素 ,  熱サイクル ,  核形成 ,  *ドーピング ,  再構成 ,  キャラクタリゼーション ,  ドーパント ,  *ケイ素 ,  *ヒ素 ,  熱履歴 ,  温度分布
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  酸素含有量 ,  *高濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A2Czochralski法 ,  B2半導体シリコン ,  A1特性化 ,  A1体積欠陥

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高濃度 ,  ひ素 ,  ドープ ,  シリコン結晶 ,  酸素 ,  析出 ,  挙動