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J-GLOBAL ID：201702281294395567   整理番号：17A0834028

Ga_2S_3薄膜素子の性能に及ぼすイッテルビウム,金およびアルミニウム透明金属基板の影響【Powered by NICT】

Effect of ytterbium, gold and aluminum transparent metallic substrates on the performance of the Ga₂S₃ thin film devices

著者 (2件)： Alharbi S.R. (Physics Department, Faculty of Science, Al Faisaliah, King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia) ,  Qasrawi A.F. (Groups of Physics at AAUP, Jenin and at Faculty of Engineering, Atilim University, 06836, Ankara, Turkey)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 6  ページ： 835-841  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,透明な薄いAl,YbとAu金属基板上に堆積したGa_2S_3薄膜の構造的,光学的,誘電的及び電気的性質は透過型電子顕微鏡,X線回折,紫外-可視光分光法とインピーダンス分光法を用いて特性化した。結晶の性質,エネルギーバンドギャップおよび誘電スペクトルに及ぼす金属基板の影響も調べた。誘電スペクトルのモデリングは,電子散乱時間,プラズモン周波数,自由電子密度とドリフト移動度に及ぼすAl,YbおよびAu薄層の影響を決定することができる。さらに,Yb/Ga_2S_3/Au Schottky障壁とAl/Ga_2S_3/AuバックSchottky障壁デバイス(金属-semiconductor-金属(MSM)デバイス)には10 1800MHzの周波数範囲で容量-電圧特性および静電容量とコンダクタンススペクトルによって作製し特性化した。Schottky障壁素子を共振-反共振現象の三つの異なる位置を示したが,MSMデバイスは10MHzの狭帯域幅での1つのピークを示した。MSM素子は250MHzで0.25V幅の電圧範囲内で反転,空乏および蓄積モードを示した。スマート容量性スイッチとしてこれらのデバイスの適用性を示し,プラズモンデバイスとしてwavetraps。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  X線回折 ,  周波数 ,  キャラクタリゼーション ,  *薄膜 ,  モデリング ,  可視光 ,  電圧 ,  静電容量 ,  *アルミニウム ,  *金 ,  バンドギャップ ,  透過型電子顕微鏡 ,  プラズモン
準シソーラス用語： 誘電スペクトル ,  *金属基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 硫化ガリウム ,  光学材料 ,  誘電特性 ,  プラズモン ,  バラクタ

分類 (5件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜素子 ,  イッテルビウム ,  金 ,  アルミニウム ,  金属基板