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J-GLOBAL ID：201702281340531302   整理番号：17A1823268

MoS_2単分子層のRamanスペクトルに及ぼす歪とドーピングの理論的研究【Powered by NICT】

Theoretical Investigation of Strain and Doping on the Raman Spectra of Monolayer MoS₂

著者 (2件)： Kukucska G. (Department of Biological Physics, Eotvos Lorand University, Pazmany Peter setany 1/A, 1117 Budapest, Hungary) ,  Koltai J. (Department of Biological Physics, Eotvos Lorand University, Pazmany Peter setany 1/A, 1117 Budapest, Hungary)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 254  号： 11  ページ： ROMBUNNO.201700184  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元ヘテロ構造は一般的に大きな表面-体積比に起因する摂動に極めて敏感であった。これらの摂動を特性化するために広く使用されている非破壊実験法をRaman分光法である。しかし,単分子層MoS_2の振動周波数は,歪とドーピングのような摂動に敏感であることが分かった。スペクトルへのこれらの摂動の影響を特性化するために,ab initioレベルで単分子層MoS_2の振動数およびRaman強度を計算した。以前の実験研究と一致して,Raman活性ピーク(A1’とE’)の頻度はむしろ歪やドーピングに敏感であることを示した。一方,強度比は歪に強く依存することを示し,このようにして,試料中の歪を評価する補助的方法として用いることができる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 体積率 ,  キャラクタリゼーション ,  *スペクトル ,  *単分子層 ,  振動数 ,  *Ramanスペクトル ,  Raman分光法 ,  Raman強度 ,  二次元
準シソーラス用語： 実験研究 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ab initio計算 ,  MoS2 ,  Raman分光法 ,  ひずみ ,  二次元材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単分子層 ,  Ramanスペクトル ,  歪 ,  ドーピング ,  理論 ,  研究