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J-GLOBAL ID：201702281368564163   整理番号：17A0885693

MHz動作領域を達成するフレキシブル基板上の全高分子FET直接書【Powered by NICT】

All Polymer FETs Direct-Written on Flexible Substrates Achieving MHz Operation Regime

著者 (3件)： Bucella Sadir Gabriele (Center for Nano Science and Technology @PoliMi, Istituto Italiano di Tecnologia, Milano, Italy) ,  Perinot Andrea (Center for Nano Science and Technology @PoliMi, Istituto Italiano di Tecnologia, Milano, Italy) ,  Caironi Mario (Center for Nano Science and Technology @PoliMi, Istituto Italiano di Tecnologia, Milano, Italy)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 5  ページ： 1960-1967  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マスクを使用しないフレキシブル基板上のメガヘルツ動作,全高分子FETを作製するために,ディジタル,直接描画手法の成功した組合せ,インクジェット印刷とフェムト秒レーザ書き込みなどを報告した。装置の配置の制御により,簡単な互いにかみ合った方式による全ゲートオーバーラップ面積に関してチャネルの表面積の間の比を最大化し,n型高分子FETの遷移f_Tの周波数は4.9MHzまで向上させることができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 表面積 ,  *フレキシブル基板 ,  インクジェット印刷 ,  周波数 ,  *高分子 ,  フェムト秒レーザ ,  ディジタル方式 ,  チャネル
準シソーラス用語： 直接描画 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： フレキシブル基板 ,  高分子 ,  FET