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J-GLOBAL ID:201702281449971319   整理番号:17A0473222

アクセプタSc~3+とドナーNb~5+イオンによるルチルTiO_2共ドープの高速巨大誘電特性【Powered by NICT】

High-performance giant-dielectric properties of rutile TiO2 co-doped with acceptor-Sc3+ and donor-Nb5+ ions
著者 (5件):
資料名:
巻: 703  ページ: 139-147  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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材料の巨大誘電特性は広く近年報告されている。しかし,低温度係数(Δε’(T)/ε′)と同時に低誘電損失正接(tanδ)と高誘電率(ε′)を達成するために非常に困難であった。本研究では,巨大誘電特性の高い性能はアクセプタSc~3+とドナーNb~5+イオンとの共ドーピングによるルチルTiO_2セラミックで達成された。前者ドーパントの重要な役割は,内部絶縁層での自由電子を捕獲し,アクセプタとして活躍することであった。後者ドーパントを用いて,自由電子を生成した。10%(Sc~3++Nb~5+)共ドープTiO_2(10%ScNTO)であることをセラミックは非常に低いtanδ≒0.016 0.035と高いε′≒10~3 10~4値を示した。焼結条件を最適化することにより,1kHzΔε’(T)/ε′_<±15%でε′の優れた温度安定性を広い温度範囲で得られ,X8Rコンデンサ用の要求を満たした。さらに誘電特性は,印加DCバイアスにわずかに依存した。インピーダンス分光分析は,ScNTOセラミックスは電気的に不均質で半導体結晶粒と非常に高い絶縁層から成ることを明らかにした。ScNTOセラミックの高速巨大誘電特性は非常に高い抵抗率と大きな活性化エネルギーを有する絶縁層での界面分極に起因していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (4件):
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強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  誘電体一般  ,  セラミック・磁器の性質  ,  セラミック・陶磁器の製造 

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