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J-GLOBAL ID：201702281485426359   整理番号：17A1421112

移動グラフェン上の銅フタロシアニンおよびペンタセン膜成長の研究:高分子残基の影響【Powered by NICT】

Study of copper-phthalocyanine and pentacene film growth on transferred graphene: The influence of polymer residues

著者 (2件)： Shi Bi-Yun (Physics Department, Shaoxing University, Shaoxing 312000, China) ,  Dou Wei-Dong (Physics Department, Shaoxing University, Shaoxing 312000, China)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 636  ページ： 723-729  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(メタクリル酸メチル)(PMMA)の支援を用いた化学蒸着(CVD)グラフェンの湿式移動は,通常,グラフェン表面へのポリマの汚染を残している。有機膜成長特性に及ぼすPMMA残基の影響についての知識は,グラフェン関連有機電子デバイスのために重要である。本研究では,PMMA汚染されたグラフェン基板上の銅フタロシアニン(CuPc)とペンタセンの成長特性を調べた。CuPcとペンタセン膜の粒径と形態は,グラフェン上のPMMA残基の密度によって支配されることを見出した。それにもかかわらず,CuPcとペンタセンの分子充填構造はPMMA残基を持つ密度と異なって応答する。CuPc分子はグラフェン表面,PMMA残基に関係なくに平行な分子π πスタッキングを持つ結晶粒に核形成する傾向がある。一方PMMA転移CVDグラフェン上のペンタセンの充填挙動はPMMA残基の密度に敏感であった。ペンタセンは転写グラフェン上に堆積した時,グラフェンに垂直な分子π-πスタッキングが観察された。並列モードは,PMMA残渣無しで基材上にのみ観察された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶粒 ,  化学蒸着 ,  *薄膜成長 ,  核形成 ,  重合体 ,  *グラフェン ,  粒径 ,  *高分子 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  分子充填 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 有機薄膜 ,  有機電子デバイス ,  *残基 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 有機薄膜 ,  膜成長 ,  ポリメタクリル酸メチル残基 ,  グラフェン

分類 (1件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (2件)： ペンタセン ,  銅フタロシアニン

タイトルに関連する用語 (7件)： グラフェン ,  銅フタロシアニン ,  ペンタセン ,  膜成長 ,  研究 ,  高分子 ,  残基