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J-GLOBAL ID：201702281515124046   整理番号：17A1750019

SiC MOSFETの誘導加熱電源への応用【JST・京大機械翻訳】

Application of SiC MOSFET in induction heating power supply

著者 (4件)： Peng Yonglong (華北電力大学 電气与電子工程学院,河北 保定,071003) ,  Shi Meng (華北電力大学 電气与電子工程学院,河北 保定,071003) ,  Li Yabin (華北電力大学 電气与電子工程学院,河北 保定,071003) ,  Jiang Tao (華北電力大学 電气与電子工程学院,河北 保定,071003)
資料名： Diance yu Yibiao  (Diance yu Yibiao)
巻： 54  号： 12  ページ： 112-116  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3447A  ISSN： 1001-1390  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 現在、誘導加熱電源技術は主に大電力、高周波数と知能化制御技術の方向に向かって発展している。しかし,逆スイッチング周波数の増加により,パワーデバイスのスイッチング損失は増加した。高い臨界アバランシェ電界強度、高い熱伝導率、小さい誘電率などの際立ったメリットを持つ広バンドギャップ半導体材料SiC MOSFETの応用はこの問題の解決に理想的な案を提供した。本文では、誘導加熱電源インバータの設計、SiC MOSFETデバイスの駆動回路及び電源の電力拡張などの問題について詳細に研究した。800kHz以上の周波数を持つ新しい誘導加熱電源を,50kW以上の単変量ブリッジを用いて開発した。並列ブリッジ処理により,電源の単一容量は200kWに達し,新しいSiC MOSFETデバイスを誘導加熱領域に適用することができる。 . . 1のギャップをある程度埋めることができる。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *誘導加熱 ,  電力 ,  熱伝導率 ,  バンドギャップ ,  *MOSFET ,  HF【周波数】 ,  誘電率 ,  スイッチング損失 ,  半導体材料 ,  *炭化ケイ素 ,  駆動回路 ,  電界強度
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  スイッチング周波数 ,  高電力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： SiC MOSFET ,  high frequency ,  induction heating

分類 (1件)： 構造動力学  (HD02000E)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  MOSFET ,  誘導加熱 ,  応用