文献
J-GLOBAL ID:201702281526996352   整理番号:17A0453545

ロバストなウェアラブルエレクトロニクス用の布上に堆積させた共形被覆iCVD高分子膜中への銀ナノワイヤの埋め込み促進【Powered by NICT】

Facilitated embedding of silver nanowires into conformally-coated iCVD polymer films deposited on cloth for robust wearable electronics
著者 (7件):
資料名:
巻:号: 10  ページ: 3399-3407  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2323A  ISSN: 2040-3364  CODEN: NANOHL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
銀ナノワイヤ(AgNW)に埋め込まれた導電性膜は強い接着と環境安定性をもつ任意の布に適用モノリシックできることを提案した。布に対する足場高分子膜の共形被覆のための,化学蒸着(iCVD)を開始し,気相法を採用した。AgNWで,iCVDポリマ膜の表面に適用されると,AgNWの埋め込みは,ポリマ被覆布を70~°Cに加熱するだけで20秒以内に完了した。橋かけ120°Cで共重合体は布だけでなく熱的及び化学的に安定でなく,機械的にロバストなにAgNW埋め込まれた導電性膜を与えた。さらに,疎水性カプセル化された重合体層はiCVDによるAgNW埋込み膜上に添加した時,それは実質的に高温多湿条件下での熱酸化に対する布の安定性を改善し,ウェアラブルエレクトロニクス技術の適用性を示した。これらのロバストな導電性膜を用いて,著者らは,本研究で開発した技術の広い適用性を確認した七セグメントディスプレイのための防水布ベースヒータと回路の作製を実証した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス材料  ,  太陽電池 

前のページに戻る