オプトエレクトロニクス応用のための電子ビーム蒸発により作製したポリGe膜の構造的および電気的解析【Powered by NICT】

Kabacelik Ismail; Kulakci Mustafa; Kulakci Mustafa; Turan Rasit; Turan Rasit; Turan Rasit

文献

J-GLOBAL ID：201702281563542263 整理番号：17A0375073

オプトエレクトロニクス応用のための電子ビーム蒸発により作製したポリGe膜の構造的および電気的解析【Powered by NICT】

Structural and electrical analysis of poly-Ge films fabricated by e-beam evaporation for optoelectronic applications

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高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A0375073&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W1055A") }}

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資料名：
巻： 56 ページ： 368-372 発行年： 2016年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

室温で電子ビーム蒸着により単結晶シリコン(100)基板上に蒸着したGe薄膜の構造と電気的性質の間の関係を調べた。事後熱アニーリングにより,多結晶Ge薄膜を得るために適用した。Ge膜の結晶化に及ぼすアニーリング温度とアニーリング時間の構造効果を,RamanおよびX線回折測定を用いて解析した。Raman及びX線回折スペクトルは,アニーリング温度とアニーリング時間の増加によるアモルファスから結晶相への構造変化が明らかになった。高品質多結晶Ge膜は450°Cの結晶化しきい値後の500°Cのアニーリングtemperarureで結晶化比90%で得られることが分かった。電気的特性に及ぼす構造秩序化の効果は,作製したヘテロ構造デバイス(Ge/p Si)の電流-電圧特性により調べた。ダイオード挙動における平滑陰極-陽極交換を系統的にアニーリング温度の関数として構造秩序化後明瞭に観測した。これらの結果は,低コストのGeに基づく新しい電子およびオプトエレクトロニクスデバイスの工学のために利用することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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半導体薄膜 , 固体デバイス材料

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