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J-GLOBAL ID：201702281573717814   整理番号：17A0793069

GEANT4コードを用いたAl,Cu,AgおよびAuターゲットによる陽電子後方散乱のシミュレーション【Powered by NICT】

Simulation of positron backscattering on Al, Cu, Ag and Au targets using GEANT4 code

著者 (10件)： Lai Xin (Beijing Engineering Research Center of Radiographic Techniques and Equipment, Institute of High Energy Physics, CAS, Beijing, 100049, China) ,  Lai Xin (College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, 610064, China) ,  Jiang Xiaopan (Beijing Engineering Research Center of Radiographic Techniques and Equipment, Institute of High Energy Physics, CAS, Beijing, 100049, China) ,  Cao Xingzhong (Beijing Engineering Research Center of Radiographic Techniques and Equipment, Institute of High Energy Physics, CAS, Beijing, 100049, China) ,  Zhang Xi (College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, 610064, China) ,  Zhang Zhiming (Beijing Engineering Research Center of Radiographic Techniques and Equipment, Institute of High Energy Physics, CAS, Beijing, 100049, China) ,  Cao Xuexiang (Beijing Engineering Research Center of Radiographic Techniques and Equipment, Institute of High Energy Physics, CAS, Beijing, 100049, China) ,  Xiang Gang (College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, 610064, China) ,  Wang Baoyi (Beijing Engineering Research Center of Radiographic Techniques and Equipment, Institute of High Energy Physics, CAS, Beijing, 100049, China) ,  Wei Long (Beijing Engineering Research Center of Radiographic Techniques and Equipment, Institute of High Energy Physics, CAS, Beijing, 100049, China)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 49  号： 5  ページ： 457-463  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Al,Cu,Ag,Au金属ターゲット上の3 50keVへの陽電子の後方散乱は,GEANT4コードを用いて系統的に調べた。原子番号Z,ターゲット厚さ,入射エネルギーと角度の陽電子後方散乱係数の依存性を包括的に議論した。に加えて,異なる離散散乱角でのこれらの金属ターゲットの陽電子後方散乱スペクトルもシミュレーションパラメータと特定の応用計測技術のための選択された最も適切な散乱角の理論的基礎を提供するために研究した。陽電子後方散乱スペクトルに及ぼすターゲットの原子番号Zの影響も調べた。シミュレーション結果は以前の実験データと理論的研究と合理的に一致した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *金 ,  *陽電子 ,  *シミュレーション ,  *後方散乱 ,  原子番号 ,  アルミニウム
準シソーラス用語： 散乱スペクトル ,  散乱角 ,  後方散乱係数 ,  入射エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GEANT4 ,  陽電子 ,  後方散乱係数 ,  後方散乱スペクトル

分類 (5件)： 無機物質の物理分析一般  (CC03021Q) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  電子・陽電子との相互作用一般  (BK16051U) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (9件)： Geant4 ,  Al ,  Cu ,  Ag ,  Au ,  ターゲット ,  陽電子 ,  後方散乱 ,  シミュレーション