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J-GLOBAL ID：201702281631106499   整理番号：17A1077362

表面酸化による薄いWTe₂フレーク中の磁気抵抗の抑制

Suppression of Magnetoresistance in Thin WTe₂ Flakes by Surface Oxidation

著者 (15件)： WOODS John M. (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  WOODS John M. (Energy Sci. Inst., Connecticut, USA) ,  SHEN Jie (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  SHEN Jie (Energy Sci. Inst., Connecticut, USA) ,  KUMARAVADIVEL Piranavan (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  KUMARAVADIVEL Piranavan (Energy Sci. Inst., Connecticut, USA) ,  PANG Yuan (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  XIE Yujun (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  XIE Yujun (Energy Sci. Inst., Connecticut, USA) ,  PAN Grace A. (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  LI Min (Materials Characterization Core, Connecticut, USA) ,  ALTMAN Eric I. (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  LU Li (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  CHA Judy J. (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  CHA Judy J. (Energy Sci. Inst., Connecticut, USA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 27  ページ： 23175-23180  発行年： 2017年07月12日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状遷移金属ジカルコゲナイド類(TMDC類)では様々なエキゾチック電子相が見出されている。表面酸化はTMDC類と黒リンを含む多くの異なる系でFermi準位ピン止めまたは移動度の低下を授けることが知られている。半金属WTe₂は電子-正孔補償により大きな磁気抵抗を示すが,薄いWTe₂フレーク中ではFermi準位ピン止め電子-正孔収支が壊れ,大磁気抵抗を抑制する。本稿では,約2nm厚みの非晶質WTe₂がFermi準位をWTe₂表面において約300meVシフトさせることにより,薄いフレークの場合に劇的に磁気抵抗が抑制されるが,WTe₂の半金属性によりFermi準位ピン止めの効果は遮蔽され,磁気抵抗の抑制を引き起こすことを妨害している。本稿では,2バンドモデルを輸送データにあてはめることにより電子と正孔キャリア密度が約13nmの厚さまで収支が釣り合っていることを示した。このあてはめにより薄いフレークでは電子と正孔両方の移動度の有意な減少が発生することを示した。これが非晶質表面酸化層により誘導された不規則性のためと推定した。

シソーラス用語： *タングステン化合物 ,  *テルル化物 ,  *フレーク ,  *ナノ構造 ,  *磁気抵抗 ,  *酸化 ,  黒リン ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  キャリア移動度 ,  半金属 ,  非晶質 ,  カルコゲン化物 ,  キャリア密度 ,  電子 ,  正孔 ,  ジテルリド
準シソーラス用語： *テルル化タングステン ,  *ナノフレーク ,  磁性のバンドモデル ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  *表面酸化 ,  不規則性

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 表面酸化 ,  フレーク ,  磁気抵抗