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J-GLOBAL ID：201702281673736480   整理番号：17A1020064

PV応用のための費用効果的な切り口の無いシリコン結晶成長のための進歩と挑戦【Powered by NICT】

Progress and challenges for cost effective kerfless Silicon crystal growth for PV application

著者 (4件)： Serra J.M. (Instituto Dom Luiz, Faculdade de Ciencias, Universidade de Lisboa, 1749-016 Lisboa, Portugal) ,  Alves J. Maia (Instituto Dom Luiz, Faculdade de Ciencias, Universidade de Lisboa, 1749-016 Lisboa, Portugal) ,  Vallera A.M. (Instituto Dom Luiz, Faculdade de Ciencias, Universidade de Lisboa, 1749-016 Lisboa, Portugal) ,  Vallera A.M. (SDSIL, Campo Grande, ED ICAT, 1749-016 Lisboa, Portugal)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 590-594  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PV普及のための主な障害は,コストである。またシリコン技術における最も重要なコスト因子はウエハ(モジュールコストの約35%)であった。細胞処理に大きな進歩が最近数年間に報告されているが,ウエハに重要な因子となろうに見られる非常に小さい進化。ウェーハの厚さは,低い材料コストに減少するとインゴットスライシングプロセスはその限界に達した。切り口損失≒50%,高付加価値材料の破壊の増加は,このアプローチの下限を置いている。,これら限界を克服するようにウエハを製造するための必要である新しいアイデア。本論文では,共通の一つのものを持っていることを著者らの研究室で開発された三つの新しい概念を提示した:それらはすべて零切り口損失過程であり,材料損失の有意な減少を目的とした。一つは剥離の概念,リボンに直接シリコンの成長で他の二つの目的を調べた。これらは結晶化中の不純物汚染を避けるために,浮遊溶融帯概念に基づいて,連続プロセスとして考えられる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不純物 ,  材料費 ,  浮遊 ,  *ケイ素 ,  *結晶成長 ,  結晶化
準シソーラス用語： 高付加価値 ,  *費用対効果 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1凝固 ,  A2フローティングゾーン法 ,  A2リボン ,  A2カーフレス技術 ,  A3化学蒸着過程 ,  B2半導体シリコン

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： PV ,  応用 ,  費用効果 ,  切り口 ,  シリコン ,  結晶成長