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J-GLOBAL ID：201702281699291108   整理番号：17A1748610

強誘電体メモリーにおけるレーザーマイクロビーム単粒子効果試験研究【JST・京大機械翻訳】

Laser Microbeam Experiment on Single Event Effect in Ferroelectric Random Access Memory

著者 (8件)： Wei Jianan (湘潭大学 材料科学与工程学院,湖南 湘潭,411105) ,  Guo Hongxia (湘潭大学 材料科学与工程学院,湖南 湘潭 411105;西北核技術研究所,陜西 西安 710024) ,  Zhang Fengqi (西北核技術研究所,陜西 西安,710024) ,  Luo Yinhong (西北核技術研究所,陜西 西安,710024) ,  Pan Xiaoyu (西北核技術研究所,陜西 西安,710024) ,  Ding Lili (西北核技術研究所,陜西 西安,710024) ,  Zhao Wen (西北核技術研究所,陜西 西安,710024) ,  Liu Yuhui (湘潭大学 材料科学与工程学院,湖南 湘潭,411105)
資料名： Yuanzineng Kexue Jishu  (Yuanzineng Kexue Jishu)
巻： 51  号： 5  ページ： 902-908  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2078A  ISSN： 1000-6931  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： パルスレーザマイクロビーム単粒子効果(SEE)シミュレーション装置を用いて,単一粒子反転(SEU)に及ぼす強誘電体メモリ(FRAM)の動作周波数の影響を研究した。研究結果により、工作周波数の低下により、測定装置のSEU断面は著しく増大し、反転は周辺回路によって引き起こされることが分かった。測定されたチップ1→0の反転断面は,0→1の反転断面より明らかに大きかった。FRAMの作業時間と異なるチップによる信号(CE)の空間比の下でのSEU断面の分析により、周波数の低下によるCE有効時間の延長はSEU断面の増大と直接関係があることが明らかになった。本論文では、FRAMの異なる機能モジュールの単一粒子ロック(SEL)敏感性試験を同時に行い、対応するSEL閾値エネルギーと飽和断面を獲得し、静的と動的動作モード下におけるSELによるデータ反転状況を研究した。動的モードの下で,測定されたデバイスは,より容易にSELの影響を受けて,反転することができることが分かった。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 作業時間 ,  シミュレーション ,  計測器 ,  運転モード ,  周波数 ,  *FeRAM
準シソーラス用語： 敏感性 ,  周辺回路 ,  動作周波数 ,  単一粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ferroelectric random access memory ,  single event effect ,  laser microbeam ,  operating frequency

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体メモリー ,  レーザー ,  マイクロビーム ,  試験 ,  研究