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J-GLOBAL ID：201702281710878425   整理番号：17A0473359

化学剥離を合併したマグネトロンスパッタリングによる透明NiTe_2電極の作製【Powered by NICT】

Fabrication of transparent NiTe₂ electrodes via magnetron sputtering combined with chemical exfoliation

著者 (5件)： Lee Sung Hyuk (School of Energy, Materials and Chemical Engineering, Korea University of Technology and Education (KOREATECH), Cheonan, 31253 South Korea) ,  Kim Se Yun (Samsung Advanced Institute of Technology, Samsung Electronics, Suwon, 16677 South Korea) ,  Kim Seung Min (Institute of Advanced Composite Materials, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Jeonbuk 55324, South Korea) ,  Jeong Jae Im (School of Energy, Materials and Chemical Engineering, Korea University of Technology and Education (KOREATECH), Cheonan, 31253 South Korea) ,  Kim Suk Jun (School of Energy, Materials and Chemical Engineering, Korea University of Technology and Education (KOREATECH), Cheonan, 31253 South Korea)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 704  ページ： 607-613  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタリングとそれに続く化学的剥離により作製した透明導電性NiTe_2電極。厚さ9nmの新たに堆積したNiTe_2薄膜は,電気抵抗率は82μΩcmと53%の透明性,さらに289μΩcmと61%(285nmの波長で70%)までの化学的剥離により増加したを示した。金属間NiTe_2ターゲットのスパッタリングによって得られた薄膜はNi及びTeターゲットの共スパッタリングにより作製した膜のそれは,面外c軸方位の結晶粒のより大きな数に起因すると考えられるよりも低い電気抵抗率によってキャラクタライズした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 導電性 ,  波長 ,  軸方向 ,  薄膜 ,  *ニッケル ,  結晶粒 ,  電気抵抗率 ,  *スパッタリング ,  *テルル ,  *マグネトロンスパッタリング
準シソーラス用語： 同時スパッタリング ,  透明性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 透明電極 ,  遷移金属二カルコゲン化物 ,  2次元材料 ,  NiTe_2 ,  化学剥離 ,  スパッタリング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 化学 ,  合併 ,  マグネトロンスパッタリング ,  作製