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J-GLOBAL ID：201702281767215776   整理番号：17A0852234

AlGaN/GaNH EMTにおける電気的暴走:物理的機構と信頼性に及ぼす影響【Powered by NICT】

Electrical Runaway in AlGaN/GaN HEMTs: Physical Mechanisms and Impact on Reliability

著者 (6件)： Brunel L. (United Monolithic Semiconductors, Villebon-sur-Yvette, France) ,  Lambert B. (United Monolithic Semiconductors, Villebon-sur-Yvette, France) ,  Carisetti D. (Thales Research and Technology, Palaiseau, France) ,  Malbert Nathalie (IMS laboratory, University of Bordeaux, Talence, France) ,  Curutchet A. (IMS laboratory, University of Bordeaux, Talence, France) ,  Labat N. (IMS laboratory, University of Bordeaux, Talence, France)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 4  ページ： 1548-1553  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 「電気暴走機構」が異常なゲート電流挙動により特徴づけられるいわゆるAlGaN/GaN技術における新しい電気的寄生効果の深い特性化を検討した。電気的測定と温度の関係は暴走機構しきい値はV_DSの関数としてゲート電流進行に逆に温度に依存しないことを示した。光電測定は暴走機構を誘導する物理的機構はゲート面積以下で起こることを示した。,0.5μm GaN技術の枠内で行われた信頼性劣化試験は,摩耗機構として暴走機構を提示した。最後に,暴走のメカニズムを,ゲート金属とAlGaN層を通るトンネル伝導と関連している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *信頼性 ,  キャラクタリゼーション ,  電気測定
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム ,  摩耗機構 ,  劣化試験 ,  光電気 ,  寄生効果 ,  *AlGaN/GaN ,  ゲート電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： AlGaN ,  EMT ,  物理