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J-GLOBAL ID：201702281781504356   整理番号：17A0763474

ケイ素ドープホウ素クラスタ: 安定したリボンを製造するには?

Silicon doped boron clusters: how to make stable ribbons?

著者 (2件)： Van Duong Long (Institute for Computational Science and Technology (ICST), Quang Trung Software City, Ho Chi Minh City, Vietnam) ,  Tho Nguyen Minh
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 23  ページ： 14913-14918  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 小さなホウ素クラスタをケイ素原子でドープすると,安定なホウ素ナノリボン構造が形成される。筆者等は,MOおよび電子局在関数(ELF)マップを用いて,B₁₀Si₂^2-とB₁₂Si₂^2-のジアニオンで表されるホウ素リボンの幾何学構造および電子構造に関する解析を提示する。Siドーパントの影響と基礎となる電子数の起源[π²⁽ⁿ⁺¹⁾σ²ⁿ]について解析する。リボンの周囲に沿って交互のB-B結合を生成する非局在化π電子とσ電子の両方のシステム間の相互作用は,その高い熱力学的安定度をもたらす。強化された安定性は,自己ロック現象に関連する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ドーピング ,  凝集体 ,  電子構造 ,  π電子 ,  熱力学的安定度 ,  化学結合 ,  *ホウ素化合物 ,  *ケイ素化合物 ,  局在状態 ,  分子軌道 ,  ナノ構造 ,  *リボン結晶 ,  *クラスタ分子 ,  電子
準シソーラス用語： ポリアニオン ,  B-B結合 ,  σ電子 ,  ジアニオン ,  ナノリボン ,  電子局在関数 ,  非局在化

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (5件)： ケイ素 ,  ドープ ,  ホウ素 ,  クラスタ ,  リボン