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J-GLOBAL ID：201702281804308416   整理番号：17A1132331

窒化ストレッサー層により可能になった二層グラフェンにおける三軸圧縮歪【Powered by NICT】

Triaxial compressive strain in bilayer graphene enabled by nitride stressor layer

著者 (8件)： Mikael Solomon (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 53706, USA) ,  Seo Jung-Hun (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 53706, USA) ,  Park Dong-Wook (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 53706, USA) ,  Kim Munho (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 53706, USA) ,  Mi Hongyi (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 53706, USA) ,  Javadi Alireza (Department of Biomedical Engineering, Wisconsin Institute for Discovery, and Materials Science Program, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 53706, USA) ,  Gong Shaoqin (Department of Biomedical Engineering, Wisconsin Institute for Discovery, and Materials Science Program, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 53706, USA) ,  Ma Zhenqiang (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 53706, USA)
資料名： Extreme Mechanics Letters  (Extreme Mechanics Letters)
巻： 11  ページ： 77-83  発行年： 2017年 
JST資料番号： W3055A  ISSN： 2352-4316  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 簡単なパターニングにより任意の望ましい位置に三軸歪二層グラフェンをviablyに用いることができる手法を開発した。従来のグラフェンの歪み工学手法とは異なり,プラズマ増強化学蒸着(PECVD)システムにより蒸着したフォトリソグラフィー的に定義したスポークパターンと圧縮歪Si_3N_4層はユニークなtristar形状しわを形成することにより,希望位置で局所的に閉じ込められた三軸歪二層グラフェンの生成を可能にした。tristar形状しわを高分解能顕微Raman分光法と原子間力顕微鏡(A FM)分析を用いて調べ,最大三軸圧縮歪の0.38%を作成したことを確認した。機械的シミュレーションを用いて,歪分布を検証し,Raman分光法とA FMプロファイルから計算した歪値を確認した。ここで提示した技法は,望みの位置で歪んだグラフェンの生成への実用的ルートを提供するだけでなく,種々のタイプのグラフェン系電子および光電子デバイスのためのグラフェンにおける多軸歪の生成の可能性を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 形態 ,  シミュレーション ,  *グラフェン ,  *窒化 ,  高分解能 ,  歪分布 ,  プラズマCVD ,  顕微Raman分光法 ,  パターン形成 ,  フォトリソグラフィー ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： 軸歪 ,  *圧縮歪 ,  *三軸 ,  *二層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 三軸圧縮歪 ,  歪んだグラフェン ,  窒化ストレッサー層 ,  Raman分光法

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化 ,  ストレッサー ,  二層グラフェン ,  三軸 ,  圧縮歪