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J-GLOBAL ID：201702281862451509   整理番号：17A1169732

n-GaNにおけるDRLの熱安定性【Powered by NICT】

Thermal stability of DRL in n-GaN

著者 (4件)： Medvedev Oleg (V.A. Fok Institute of Physics, St. Petersburg State University, 198504 St. Petersburg, Russia) ,  Medvedev Oleg (IRC Nanotechnology, Research Park, St. Petersburg State University, 198504 St. Petersburg, Russia) ,  Vyvenko Oleg (V.A. Fok Institute of Physics, St. Petersburg State University, 198504 St. Petersburg, Russia) ,  Bondarenko Anton (V.A. Fok Institute of Physics, St. Petersburg State University, 198504 St. Petersburg, Russia)
資料名： Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics  (Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics)
巻： 14  号： 7  ページ： ROMBUNNO.201700111  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1400A  ISSN： 1862-6351  CODEN： PSSCGL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低Ohm損GaN中の新たに導入されたねじ転位の陰極線ルミネセンスに及ぼす走査電子顕微鏡の真空室内の温度範囲300 750Kにおける段階的アニーリングの影響を調べた。転位関連ルミネセンス(DRL)は,室温で約3.12eVのエネルギーで広い強いバンドを示し,近バンド端発光の強度を超えていた。DRL強度は温度増加と共に減少するが,450Kまで検出可能であった。500Kまでの温度でのアニーリングは室温で導入された転位の構造を著しく変化させない,750Kまでのより高い温度での処理後の転位は基底面に残っているそれらの長さを拡大した。処理は室温まで冷却後の個々の転位のDRL光学的性質を変化しなかった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  ルミネセンス ,  *窒化ガリウム ,  *熱安定性 ,  光学的性質 ,  陰極線ルミネセンス ,  焼なまし
準シソーラス用語： バンド端発光 ,  温度範囲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 陰極線ルミネセンス ,  転位関連ルミネセンス ,  GaN

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaN ,  熱安定性